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 设备参数

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• 型号：自研
• 主要指标：
  测量波长：355 nm、532 nm及1064 nm
  脉冲宽度：~ 8 ns@355 nm，~ 10 ns@532 nm，~ 12 ns@1064 nm，200 ~ 800 ps@355 nm
  处理元件最大尺寸：830 mm × 430 mm × 100 mm
  典型阈值提升能力：~ 2X（HR coating@1064 nm）；~ 2X（KDP@1064 nm）；~ 1X（DKDP@355 nm）
• 功能：
  可对介质薄膜元件和晶体元件进行激光预处理，提高元件的抗激光损伤能力