随着集成电路先进工艺节点不断微缩，对器件良率和可靠性的要求越来越苛刻。然而，目前大多数测量和表征手段是静态的，需要一种技术和方法，可以动态地观察缺陷在电场作用下的演化过程，揭示影响器件可靠性的关键因素。本报告将介绍我们近期在16/14纳米先进工艺下器件纳米结构与性能动态调控机制研究的进展。

Biography

吴幸，女，华东师范大学通信与电子工程学院教授、博导、副院长。一直从事集成电路可靠性方面工作，国家高层次青年人才计划获得者、中国科协青年托举人才、曙光学者、启明星。IEEE高级会员、中国电子学会高级会员、中国电子学会青工委副秘书长、InfoMat期刊青年编委、半导体学报青年编委。