碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体的核心材料，在新能源汽车、轨道交通、智能电网等高压高频场景展现出革命性应用潜力。全球产业格局中，美国（Cree/Wolfspeed）、欧洲（Infineon/ST）、日本（ROHM）已形成完整产业链并加速8英寸衬底产业化。我国将SiC纳入"十四五"战略性新兴产业，已成功构建覆盖6英寸衬底-外延-器件-模块的全产业链，尤其12英寸晶锭的突破展现出领先潜力。本次交流聚焦国内外SiC技术前沿与产业化动态，重点探讨中国在碳化硅晶体领域的技术发展历程、高质量衬底制备产业链技术的突破，鉴此讨论超宽禁带半导体AlN材料发展过程的共性方法。

Biography

高攀，上海电机学院特聘研究员，具有15年宽禁带半导体晶体设备、工艺系统研发经验和4年跨国集团企业技术负责人宽禁带半导体晶体完整产线和产业化经验。负责国家自然科学基金、上海市科技创新行动计划、中国科学院STS等科研项目。在CrystEngComm、APL等国际重要期刊发表论文20余篇，担任Crystals专刊“Advances of Silicon carbide crystals”客座编辑，以第一申请人申请中国发明专利25项（授权10项以上），申请美国专利1项并授权。