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1963年9月16日,在中国科学院召开的受激光发射工作会议上,王大珩等科学家提出了“加强受激光发射研究,建立专门研究机构的若干建议”。
1964年3月5日,为《受激光发射情报》题写发刊词。
1964年8月12日,中国科学院下达(64)院干任字第095号文,第七次常务会议批准任命:王大珩兼任中国科学院光学精密机械研究所上海分所所长。
1964年12月14日,参加在上海召开的第三次受激光发射专业会议。
1974年6月5日~7月25日,任中国激光代表团团长(副组长)赴美国、加拿大考察激光技术,并参加在旧金山召开的第八届国际量子电子学会议。此期间受到哥伦比亚大
  学、斯坦福大学和贝尔实验室、IBM的国际知名科学家接待,全面了解世界激光技术的进展。回国后多次向有关单位传达,促进了国内激光科研的发展。上海
  光机所党委书记陆铭(组长)和激光工作者林尊琪一同出访。
1976年6月6日~15日,参加中国科学院、国防科委和国防工办联合召开的强激光研究工作会议。
1982年1月,任激光12#实验装置项目中科院协作组组长,直至1987年6月。
1982年4月19日~24日,受中国科学院委托,由王大珩、黄宏嘉、李正武三位学部委员负责,与全国光学方面的学部委员、相关研究所和高等院校的专家学者、
  院部及上海分院领导共50余人,全面评议上海光机所。
1985年7月4日,激光12#实验装置建成后,在上海光机所,王大珩与王淦昌二位科学家受到时任上海市委书记芮杏文、副书记江泽民、吴邦国等市领导专程来所的亲
  切接见。
1986年4月,任高功率激光物理研究实验室(后更名为:高功率激光物理联合实验室,对外名称:高功率激光物理国家实验室)第一届管理委员会顾问。
1963年9月16日,在中国科学院召开的受激光发射工作会议上,王大珩等科学家提出了“加强受激光发射研究,建立专门研究机构的若干建议”。
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