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1月24日学术报告

来源: 发布时间:2018-01-22【字体:

题目Fe3O4 单晶薄膜的外延生长和磁性

姓名:翟亚

单位:东南大学物理学院

时间2018124日(周三)14:00-15:00

地点1号楼108会议室

摘要

半金属材料由于具有其高的自旋极化率和重要的应用前景在自旋电子学领域引起了极大地关注Fe3O4 单晶超薄膜作为一种最有潜质的半金属材料,对其生长、结构、磁性的大量研究一直是自旋电子学领域的重点课题。本工作将报告我们采用了原位后氧化热处理的方法成功地在III-V族半导体GaAs衬底上外延生长了Fe3O4 单晶超薄膜以及结构的演化过程,并对厚度依赖的饱和磁化强度和磁晶各向异性进行了系统的研究。研究结果表明在适当的厚度,我们取得了具有类块材饱和磁化强度和软磁特性的Fe3O4 单晶超薄膜,这对于自旋电子器件的磁性薄膜是非常重要的。

磁性/半导体异质结构可集成磁性材料和半导体的器件,利用自旋控制来实现半导体更多功能的特性。将自旋极化载流子引入到半导体中,称作为自旋注入,对于自旋注入半导体器件,注入效率要求磁性薄膜层自旋极化度高,磁性薄膜层和半导体层电匹配以及其界面要好。在我们的研究工作中,对Fe3O4/GaAs界面的性能、缺陷、电输运系统测量和第一性原理计算取得了较好的结果。

 

个人简介

翟亚,1982年获南京大学学士,2003年获东南大学博士,目前为东南大学二级教授,博士生导师;2004-2005年英国York大学皇家学会访问教授;承担和完成国家自然科学基金、973重大研究计划、省自然科学基金以及其他项目共计20余项。发表SCI论文120多篇,被引用700余次。 研究方向为纳米磁性以及自旋电子学,其中在国际物理权威杂志Phys. Rev. Lett.Phys. Rev.BAppl. Phys. Lett.ACS InterfaceScientific Report等多篇。受聘于中国物理快报,ACSElsevier 等多类国际杂志的评审专家。


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