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2月25日学术报告

来源： 发布时间：2019-02-19【字体：大 中 小】

报告题目：探索光电半导体和氧化物材料与纳米结构暨器件的奥秘

报告人：馮哲川(Zhe Chuan FENG）杰出教授

单位：广西大学物理科学与工程技术学院

时间：2月25日（周一） 9:30

 

地点：108会议室

 

摘要：

 

冯哲川杰出教授团队目前工作在半导体物理与光电技术领域，着重于研究第三代宽禁带半导体/氧化物及相关材料与纳米结构暨器件的物理研究以及相关光电子技术，外延生长及光电子学特性、LEDs、基于宽禁带半导体材料的光电转换器件的构造及性能调控，尤其是在深紫外日盲区光电子探测器方面的应用。实验室平台建设，在短时间里已建立起多套的新光电子材料的光谱检测设备:例如，宽光谱全穆勒矩阵椭偏光谱仪(193-1700nm)、微区可见-近红外及深紫外两套拉曼与光致荧光光谱仪、深紫外外光路光致荧光谱仪、红外光致荧光谱仪、时间分辨荧光光谱仪、光致荧光激发谱仪、深紫外-红外吸收谱仪、光调制反射谱仪、深紫外-可见-近红外激光器(213,261,266,325,360, 374,405,457,532,561,671,785nm)及10-300K和77-870K低温变温光学测试系统等。能进行较完善的先进光电材料的宽光谱范围及低温和变温的测试及研究。并结合X-光电子能谱技术、同步辐射X-光吸收、X-光散射、卢瑟福背散射、计算机理论仿真等深入研究各种宽禁带和化合物半导体/氧化物材料与奈米结构的基本物理特性。已产出了多的有意义的初步成果（如近3年已发表40多篇SCI论文等），兹报告和简介一些，特别是在紫外和深紫外光电子材料(III-Nitrides, SiC等)、氧化物(GaO,ZnO及合金)半导体与纳米结构领域的研究，以及其一些未解决的或令人困惑的物理现象。希望对以上复合材料的改进提供贡献，探索不同的长晶方法，研究生长过程的缺陷和问题，深入其物理机制和了解光学及结构实验上的发现，探索新路径以控制生长过程中产生的缺陷，以制成高质量的光电子材料与微纳结构及其他外延材料和器件。

 

报告人简介：

  冯哲川教授,获得学士/硕士(1968/1981,北京大学),博士(1987,匹兹堡大学-美国),1988-2003工作于Emory大学(美),新加坡国立大学,EMCORE公司(美),材料工程研究院(新加坡),乔治亚理工学院;2003.8-15.1台湾大学。2015年2月自台湾大学光电所暨电机系(任教授11年后)退休，即受聘于广西大学物理科学与工程技术学院，任杰出教授.建立并领导光电子材料与探测技术实验室(依托广西相对论天体物理重点实验室)。至今他编辑出版了高效能复合半导体及显微结构、多孔硅、三族氮化物半导体及器件、氧化锌、固态照明/LED、三族氮化物和奈米工程领域的11-本英文专书，Google Scholar Citations.html收录其已发表过的480多篇学术论文–Citations (all): 5164, h-index: 36, i10-index: 121 {至2019/1/25}。从事于化合物和宽能隙半导体研究30多年。成果多且杰出，在国际宽能隙半导体研究领域有重要贡献和影响。其许多宽能隙及化合物半导体论文被广泛引用，10多篇单篇他引超100多次。荣膺SPIE Fellow{2013}。他受邀担任四川大学、南京工业大学、华南师范大学、华中科技大学、南开大学、天津师范大学的访问客座教授。

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