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3月19日学术报告：拓扑半金属的光响应

来源： 发布时间：2019-03-16【字体：大 中 小】

　　报告题目：拓扑半金属的光响应 

　　报告人：孙栋 研究员 

　　单位：北京大学量子材料中心 

　　时间：2019年3月19日（周二）13:00-14:30 

　　地点：1号楼108会议室 

　　摘要： 

　　二维材料和拓扑材料是目前凝聚态物理和材料科学领域吸引了广泛研究兴趣的两类材料体系。尽管这两类材料的融合可以追溯到层状的拓扑绝缘体（例如Bi2Se3 等等），但是直到最近实验上验证二维的层状的过渡金属二硫化物是二类狄拉克/外尔半金属和量子自旋霍尔绝缘体，这两个激动人心的领域才空前的融合在一起。因为这些二维层状拓扑材料可以很方便的通过与多种其他二维层状材料结合形成范德瓦斯异质结构，二维层状拓扑材料的涌现给现有的二维层状材料家族带来了很多崭新的拓扑相关的新性能。这个报告里，我们主要介绍我们课题组近期在二维层状拓扑半金属的光响应方面的一些进展。首先我们会介绍我们早期通过表征这类材料里面的载流子动力学赖探索这类材料作为光电材料的潜力【1】以及相关的光电流谱的表征【2】。然后我们介绍我们最近通过中红外的光响应来探测外尔半金属两方面本征的拓扑属性：一方面是跟载流子手性相关的光选择性和手性的调控，另一方面是因为外尔点附近贝里曲率的奇异性相关的位移电流的增强【3】。 

　　参考文献 

　　[1] Advanced Materials 28, 4845 (2016); Physics Review B 95, 024303 (2017); Physics Rev. B 98,104310 (2018) 

　　[2] Nano Letters 17, 834 (2017); Advanced Materials 30, 1707152 (2018); ACS Nano 12,4055 (2018) 

    [3] arXiv: 1806.08508, Nature Materials, In Press (2018)

　　报告人简介： 

　　

 

　　孙栋，北京大学量子材料中心长聘副教授，研究员。2004年本科毕业于中国科学技术大学物理系，2009年博士毕业于密歇根大学超快光科学中心，然后分别在密歇根大学超快光科学中心和华盛顿大学担任博士后和研究员，2012年受聘北京大学量子材料科学中心研究员，预聘副教授，2017晋升长聘职位。主要研究方向量子材料的超快光谱，太赫兹谱表征和以及相关光电器件的光电转化过程。 

　

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