本所声明  |  联系方式  |  中科院  |  OA  |  ARP  |  English  |  邮箱

上海光机所知识创新工程工作简报

(第二六二期)

2010年11月1日 

上海光机所“新型GaN基LED荧光衬底-掺质铝酸盐晶体生长与

性能研究”项目于近期通过验收

 

10月27日,上海光机所夏长泰研究员承担的上海市科委半导体照明专项“新型GaN基LED荧光衬底-掺质铝酸盐晶体生长与性能研究”通过验收。该项目通过优化生长工艺,制备出了稀土离子或过渡金属离子掺杂的MgAl6O10、ScAlMgO4单晶,在新型荧光衬底发光结构的白光LED制备上形成一条新的技术路线。

实验显示,V掺质的MgAl6O10晶体在紫外光激发下可直接得到白光输出,证明它是一种潜在的白光LED荧光衬底材料。在国际上首次在MgAl2O4:Mn2+、Cr3+中观察到了Mn2+和Cr3+两种发光中心之间的能量传递,提出了MgAl2O4:Mn2+、Cr3+单晶可用作GaN基白光LED的荧光衬底。实验也发现MgAl6O10:Mn2+、Cr3+单晶也可用作GaN基白光LED的荧光衬底,并系统研究不同掺杂浓度对MgAl6O10、ScAlMgO4荧光衬底的物化性能和发光特性的影响。该项目还成功地将新型荧光衬底与蓝光LED配合获得了白光输出。宽禁带半导体发光二级管(LED),是固体照明的新型光源,具有广泛的应用价值。(科研管理处供稿)

附件下载: